M024 - O Semicondutor
Índice Geral do Curso de Eletrônica
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Eletrônica
O Semicondutor
No Módulo anterior nós vimos como funciona a válvula eletrônica. Vimos também que
as principais limitações das válvulas são
seu tamanho, fragilidade (o bulbo é feito de vidro), consumo de energia e aquecimento.
Estas características limitam o uso
delas em circuitos que exigem muitas válvulas.
Assim, Em 1925 o físico austríaco Julius Edgar Lilienfeld propôs uma construção
que tinha o objetivo de substituir as válvulas
termiônicas. O componente proposto por ele se assemelhava ao transistor de efeito de
campo moderno, mas ele não conseguiu construir um protótipo
funcional do componente. Somente em 1947 os engenheiros John Bardeen, Walter Houser
Brattain e William Bradford Shockley, dos
laboratórios da empresa americana Bell Telephones, inventaram um dispositivo batizado
de transfer resistor que tinha realmente
potencial para substituir as válvulas termoiônicas. Mais tarde o nome foi abreviado
para transistor. A invenção rendeu a eles o Prêmio
Nobel de 1956.
Para nós entendermos os componentes ativos modernos como o diodo e o transistor,
primeiro temos que estudar os semicondutores.
Cristais de Silício
Os primeiros semicondutores eram feitos de Germânio. Posteriormente passou-se a
utilizar o silício que é um dos elementos mais
comuns na natureza. O Silício é o principal componente da areia de praia, por exemplo.
No nosso Módulo sobre a Carga Elétrica,
nós vimos
que a corrente elétrica é composta pelos elétrons da eletrosfera dos átomos. Normalmente
somente os elétrons da camada
mais externa da eletrosfera participam da formação da corrente elétrica. O Silício (assim
como o Germânio) tem uma característica
muito importante que é a presença de 4 elétrons nesta camada mais externa. Esta simetria
permite que os átomos de Silício se
liguem uns aos outros em estruturas cristalinas bem organizadas na forma de reticulado
(fig1), formando o cristal de silício.
Esta qualidade do cristal é importante para a fabricação dos semicindutores.
Fig 1
Na figura 2 apresentamos o cristal de silício em estado bruto e na forma de "wafer"
(bolacha em inglês), utilizada na fabricação
de componentes eletrônicos.
Fig 2
O cristal de silício no estado natural é um mau condutor de corrente. Isto acontece
porque os elétrons que poderiam estar formando a
corrente elétrica estão presos nas ligações atômicas do cristal. O processo para transformar
o cristal de silício em um condutor se chama
dopagem e tem por objetivo permitir que os elétrons do cristal de silício tenham alguma
mobilidade e assim formem a corrente elétrica.
Existem dois tipos de dopagem, a P e a N:
Dopagem N
Na dopagem N substitui-se uma pequena quantidade de átomos de silício do cristal
por átomos de fósforo (P na tabela periódica). O átomo de
fósforo tem 5 elétrons na camada mais externa da eletrosfera, mas se liga bem ao silício.
Assim, ao tomar o lugar de um átomo de silício na
estrutura cristalina, acaba sobrando um elétron livre naquela posição. Este elétron,
junto com os outros provenientes de outros átomos de fósforo
são suficientes para permitir a passagem da corrente elétrica.
Na figura 3 a representação da dopagem N:
Fig 3
Dopagem P
Na dopagem P substitui-se uma pequena quantidade de átomos de silício do cristal
por átomos de Boro (B na tabela periódica). O átomo de
boro tem 3 elétrons na camada mais externa da eletrosfera, mas também se liga bem ao
silício. Assim, ao tomar o lugar de um átomo de silício na
estrutura cristalina, acaba faltando um elétron naquela posição. No lugar do elétron
fica uma lacuna que pode ser facilmente preenchida por algum
eletron livre na estrutura. Esta lacuna, juntamente com lacunas formadas por outros átomos
de Boro são posições preenchidas por elétrons livres
que saltam de um átomo para o outro.
Na figura 4 a representação da dopagem P:
Fig 4
O nome semicondutor é dado ao silício tipo N e tipo P porque, apesar de conduzirem
corrente, a condução não é tão boa quanto nos metais.
Se você conectar os terminais de uma pilha a uma barra de semicondutor tipo N, o
polo negativo da pilha vai empurrar os elétrons livres
em direção ao polo positivo e vai repor elétrons livres, permitindo que os elétrons
circulem entre o polo negativo e positivo.
Agora, se você conectar os polos da pilha a uma barra de semicondutor tipo P, os
elétron do polo negativo vão pular para as lacunas próximas
e vão ser atraidos pelo polo positivo, pulando de lacuna em lacuna. Ao chegar ao polo
positivo, eles pulam para o terminal da pilha deixando
uma lacuna em seu lugar.
Para facilitar a análise dos processos eletrônicos nos materiais semicondutores,
criou-se o conceito de portadores de carga. Se
pudessemos filmar os elétrons se deslocando no semicondutor P e N, veríamos o elétron
se deslocando no N e a lacuna no P, no sentido contrário
ao dos elétrons. Assim, no semicondutor tipo N, quem transporta a carga (negativa)
é o elétron. Já no semicondutor tipo P quem transporta a
carga (positiva) é a lacuna.
Mas não confunda os conceitos. Quem sempre se desloca é o elétron. A lacuna é uma
concepção para facilitar as análises.
Nos próximos módulos veremos como os semicondutores são utilizados na fabricação
de dispositivos eletrônicos.